10.2.2000 ES Trestikova

1. obvod a charakteristiky dle obr (00-02-10.bmp)
   Uz=17V, R2=3k6, Rg=1M
 a.urcete R1 a R3 tak, aby v klidovem pracovnim bode Ue0=9V (napeti z bodu
   E(emitor) do bodu 0 (zem)) a predpeti tranzistoru Ug=-0.5V
 b.v prac.bode urcete diferencialni paramatry tranzistoru
 c.nakreslete nahradni linearizovany obvod pro zmeny obvodovych velicin, kdyz 
   reaktance kapacit jsou extreme vysoke, v ustalenem harmonickem stavu pro 
   reseni vystupniho odporu stupne.
 d.odvodte vztah a spocitejte hodnotu vystupniho odopru.

2. energeticky pasovy diagram struktury MIS s polovodicem typu P
3. Soucastky vyuzivajici vnejsi fotoelektricky jev (princip, charakteristiky,
   vlastnosti)
4. MESFET (struktura, princip cinnosti, charakteristiky, vlastnosti)
5. Kapacitni diody

Je na to hodina a pul. nutna, nikoliv vsak postacujici podminka pro udelani
je cely priklad 1. Jestli to nekde nechapes tak se me neptej, ja to jenom 
opsal. Vysledky nevim. Tahaky pouzitelne (poslucharna 309)