Attributy: id="transistor"

Přemístnit do kapitoly polovodiče

Tranzistor je polovodičová nelineární součástka se třemi vývody. Nejčastěji se pod pojmem tranzistor rozumí bipolární tranzistor.

Bipolar Junction Transistor

Tranzistorový jev objevili Dr. John Bardeen, Dr. Walter Brattain a Dr. William Shockley. První tranzistor zkonstruovali v prosinci 1947, v Bellových laboratořích v Murray Hill, NJ. Za objev tranzistorového jevu jim byla v roce 1956 udělena Nobelova cena za Fyziku. Objev tranzistoru způsobil převrat v aplikované elektrotechnice a vědeckotechnickou revoluci. Odstartoval miniarizaci elektronických součástek která vyvrcholila v konstrukci dnešních počítačů.

Bipolární tranzistor sestává ze dvou PN přechodů. Správné vytvoření těchto přechodů bylo klíčovým problémem v konstrukci tranzistoru. Pořadí P a N vrstev v tranzistoru umožňuje konstrukci dvou typů a to PNP a NPN. Jednotlivé vrstvy jsou připojeny k vývodům označeným emitor (E), báze (B) a kolektor (C). Principem činnosti tranzistoru je jev, kdy proud tekoucí do báze mění "odpor" mezi emitorem a kolektorem a tím ovlivňuje velikost proudu tekoucího těmito vývody.

Obrázek 3.1. Bipolární tranzistor

320×240; EPS scale=50

Schematická značka tranzistoru ukazuje všechny tři vývody. Emitor je znázorněn šipkou a směr šipky ukazuje směr proudu.

Obrázek 3.2. Schematická značka pro bipolární tranzistor

320×240; EPS scale=50

Obrázek 3.3. Schematická značka pro bipolární tranzistor (scale="60")